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IPL65R650C6SATMA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IPL65R650C6SATMA1
説明: MOSFET N-CH 8TSON
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ CoolMOS™ C6
fet234タイプ N-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 210µA
作動温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 650mOhm @ 2.1A, 10V
電力放蕩(マックス) 56.8W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ Thin-PAK (5x6)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 650V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 100V
現在25%で安全連続(id) @°c 6.7A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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