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IPN60R2K1CEATMA1

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	IPN60R2K1CEATMA1
説明:	MOSFET NCH 600V 3.7A SOT223
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	CoolMOS™
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	Super Junction
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 60µA
作動温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	2.1Ohm @ 800mA, 10V
電力放蕩(マックス)	5W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	PG-SOT223
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	6.7nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	600V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	140pF @ 100V
現在25%で安全連続(id) @°c	3.7A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V