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IPN60R3K4CEATMA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IPN60R3K4CEATMA1
説明: MOSFET NCH 600V 2.6A SOT223
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ CoolMOS™
fet234タイプ N-Channel
包装 Cut Tape (CT)
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 Super Junction
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 40µA
作動温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 3.4Ohm @ 500mA, 10V
電力放蕩(マックス) 5W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ PG-SOT223
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 4.6nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 600V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 93pF @ 100V
現在25%で安全連続(id) @°c 2.6A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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