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IPN65R1K5CEATMA1

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	IPN65R1K5CEATMA1
説明:	CONSUMER
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	CoolMOS™ CE
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-261-3
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 100µA
作動温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	1.5Ohm @ 1A, 10V
電力放蕩(マックス)	5W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	PG-SOT223
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	10.5nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	650V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	225pF @ 100V
現在25%で安全連続(id) @°c	5.2A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V