Image is for reference only , details as Specifications

IPN70R600P7SATMA1

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	IPN70R600P7SATMA1
説明:	MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	CoolMOS™ P7
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±16V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-261-3
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 90µA
作動温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	600mOhm @ 1.8A, 10V
電力放蕩(マックス)	6.9W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	PG-SOT223
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	10.5nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	700V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	364pF @ 400V
現在25%で安全連続(id) @°c	8.5A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V