Image is for reference only , details as Specifications

IPN80R600P7ATMA1

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	IPN80R600P7ATMA1
説明:	COOLMOS P7 800V SOT-223
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	CoolMOS™ P7
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-261-3
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 170µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	600mOhm @ 3.4A, 10V
電力放蕩(マックス)	7.4W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	PG-SOT223
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	800V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	570pF @ 500V
現在25%で安全連続(id) @°c	8A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V