画像は参考までに、仕様書を参照してください

IPP052N06L3GHKSA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IPP052N06L3GHKSA1
説明: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ OptiMOS™
fet234タイプ N-Channel
包装 Tube
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 58µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 5mOhm @ 80A, 10V
電力放蕩(マックス) 115W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ PG-TO220-3
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 60V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 8400pF @ 30V
現在25%で安全連続(id) @°c 80A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

在庫が 60 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

IPP057N06N3GHKSA1
Infineon Technologies
$0
IPP057N08N3GHKSA1
Infineon Technologies
$0
IPP072N10N3GHKSA1
Infineon Technologies
$0
IPP075N15N3GHKSA1
Infineon Technologies
$0
IPP084N06L3GHKSA1
Infineon Technologies
$0