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IPP086N10N3GXKSA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IPP086N10N3GXKSA1
説明: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ OptiMOS™
fet234タイプ N-Channel
包装 Tube
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 75µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 8.6mOhm @ 73A, 10V
電力放蕩(マックス) 125W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ PG-TO220-3
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 3980pF @ 50V
現在25%で安全連続(id) @°c 80A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 6V, 10V

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