IPP086N10N3GXKSA1
メーカー: | Infineon Technologies |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
データシート: | IPP086N10N3GXKSA1 |
説明: | MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3 |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | Infineon Technologies |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
シリーズ | OptiMOS™ |
fet234タイプ | N-Channel |
包装 | Tube |
vgs max | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
fet特徴 | - |
部地位 | Active |
取付タイプ | Through Hole |
パケット/場合 | TO-220-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 75µA |
作動温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 8.6mOhm @ 73A, 10V |
電力放蕩(マックス) | 125W (Tc) |
サプライヤー装置パッケージ | PG-TO220-3 |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 100V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 3980pF @ 50V |
現在25%で安全連続(id) @°c | 80A (Tc) |
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 6V, 10V |
在庫が 759 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$1.51 | $1.48 | $1.45 |
最小: 1