Image is for reference only , details as Specifications

IPP096N03L G

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	IPP096N03L G
説明:	MOSFET N-CH 30V 35A TO-220-3
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	OptiMOS™
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tube
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Obsolete
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	9.6mOhm @ 30A, 10V
電力放蕩(マックス)	42W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	PG-TO220-3
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	1600pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c	35A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	4.5V, 10V