画像は参考までに、仕様書を参照してください
IPP65R660CFDXKSA1
| メーカー: | Infineon Technologies |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| データシート: | IPP65R660CFDXKSA1 |
| 説明: | MOSFET N-CH 650V 6A TO220 |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| シリーズ | CoolMOS™ |
| fet234タイプ | N-Channel |
| 包装 | Tube |
| vgs max | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| fet特徴 | - |
| 部地位 | Obsolete |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | TO-220-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 200µA |
| 作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rdsデータ(Max) @ Vgs | 660mOhm @ 2.1A, 10V |
| 電力放蕩(マックス) | 62.5W (Tc) |
| サプライヤー装置パッケージ | PG-TO220-3 |
| ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 650V |
| 入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 615pF @ 100V |
| 現在25%で安全連続(id) @°c | 6A (Tc) |
| 駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 10V |
