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IPS80R1K4P7AKMA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IPS80R1K4P7AKMA1
説明: MOSFET N-CH 800V 4A IPAK-SL
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ CoolMOS™
fet234タイプ N-Channel
包装 Tube
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 Super Junction
部地位 Active
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-251-3 Stub Leads, IPak
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 700µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
電力放蕩(マックス) 32W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ PG-TO251-3
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 800V
現在25%で安全連続(id) @°c 4A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

在庫が 64 pcs

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