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IPSA70R950CEAKMA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IPSA70R950CEAKMA1
説明: MOSFET N-CH 700V 8.7A TO251-3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ N-Channel
包装 Tube
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-251-3 Stub Leads, IPak
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 150µA
作動温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 950mOhm @ 1.5A, 10V
電力放蕩(マックス) 94W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ PG-TO251-3-347
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 15.3nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 700V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 328pF @ 100V
現在25%で安全連続(id) @°c 8.7A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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最小: 1

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