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IPT029N08N5ATMA1

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	IPT029N08N5ATMA1
説明:	MV POWER MOS
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	OptiMOS™ 5
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-PowerSFN
Vgs(th) (Max) @ Id	3.8V @ 108µA
作動温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	2.9mOhm @ 150A, 10V
電力放蕩(マックス)	168W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	PG-HSOF-8
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	87nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	80V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	6500pF @ 40V
現在25%で安全連続(id) @°c	52A (Ta), 169A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	6V, 10V