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IPT60R080G7XTMA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IPT60R080G7XTMA1
説明: MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ CoolMOS™ G7
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-PowerSFN
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 490µA
作動温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 80mOhm @ 9.7A, 10V
電力放蕩(マックス) 167W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ PG-HSOF-8-2
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 650V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1640pF @ 400V
現在25%で安全連続(id) @°c 29A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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