Image is for reference only , details as Specifications

IPU09N03LA G

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	IPU09N03LA G
説明:	MOSFET N-CH 25V 50A TO-251
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	OptiMOS™
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tube
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Obsolete
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 20µA
作動温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	8.8mOhm @ 30A, 10V
電力放蕩(マックス)	63W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	PG-TO251-3
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	25V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	1642pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c	50A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	4.5V, 10V