Image is for reference only , details as Specifications

IPW65R080CFDFKSA2

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	IPW65R080CFDFKSA2
説明:	HIGH POWER_LEGACY
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	CoolMOS™ CFD2
fet234タイプ	N-Channel
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 1.8mA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	80mOhm @ 17.6A, 10V
電力放蕩(マックス)	391W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	PG-TO247-3
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	167nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	650V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	5030pF @ 100V
現在25%で安全連続(id) @°c	43.3A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V