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IPZ40N04S58R4ATMA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IPZ40N04S58R4ATMA1
説明: MOSFET N-CH 8TDSON
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
fet234タイプ N-Channel
包装 Cut Tape (CT)
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 3.4V @ 10µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 8.4mOhm @ 20A, 10V
電力放蕩(マックス) 34W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ PG-TSDSON-8-32
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 13.7nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 40V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 771pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 40A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 7V, 10V

在庫が 3308 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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