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IRF150P221XKMA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IRF150P221XKMA1
説明: TRENCH_MOSFETS
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ StrongIRFET™
fet234タイプ N-Channel
包装 Tube
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4.6V @ 264µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 4.5mOhm @ 100A, 10V
電力放蕩(マックス) 341W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ PG-TO247-3
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 150V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 6000pF @ 75V
現在25%で安全連続(id) @°c 186A
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

在庫が 380 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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