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IRF200B211

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	IRF200B211
説明:	MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	HEXFET®, StrongIRFET™
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tube
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id	4.9V @ 50µA
作動温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	170mOhm @ 7.2A, 10V
電力放蕩(マックス)	80W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	TO-220AB
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	200V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	790pF @ 50V
現在25%で安全連続(id) @°c	12A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V