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IRF530NSTRRPBF

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IRF530NSTRRPBF
説明: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ HEXFET®
fet234タイプ N-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Discontinued at Digi-Key
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 90mOhm @ 9A, 10V
電力放蕩(マックス) 3.8W (Ta), 70W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ D2PAK
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 37nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 920pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 17A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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