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IRF5802TR

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IRF5802TR
説明: MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ HEXFET®
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 1.2Ohm @ 540mA, 10V
電力放蕩(マックス) 2W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ Micro6™(TSOP-6)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 6.8nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 150V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 88pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 900mA (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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