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IRF5803D2

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IRF5803D2
説明: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ FETKY™
fet234タイプ P-Channel
包装 Tube
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 Schottky Diode (Isolated)
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 112mOhm @ 3.4A, 10V
電力放蕩(マックス) 2W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ 8-SO
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 37nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 40V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1110pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 3.4A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

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