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IRF5803D2PBF

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	IRF5803D2PBF
説明:	MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	FETKY™
fet234タイプ	P-Channel
包装	Tube
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	Schottky Diode (Isolated)
部地位	Obsolete
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	112mOhm @ 3.4A, 10V
電力放蕩(マックス)	2W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ	8-SO
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	37nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	40V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	1110pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	3.4A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	4.5V, 10V