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IRF5806
| メーカー: | Infineon Technologies |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| データシート: | IRF5806 |
| 説明: | MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| シリーズ | HEXFET® |
| fet234タイプ | P-Channel |
| 包装 | Tube |
| vgs max | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| fet特徴 | - |
| 部地位 | Obsolete |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| 作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rdsデータ(Max) @ Vgs | 86mOhm @ 4A, 4.5V |
| 電力放蕩(マックス) | 2W (Ta) |
| サプライヤー装置パッケージ | Micro6™(TSOP-6) |
| ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 11.4nC @ 4.5V |
| ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 20V |
| 入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 594pF @ 15V |
| 現在25%で安全連続(id) @°c | 4A (Ta) |
| 駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 2.5V, 4.5V |
