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IRF5810TR

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: IRF5810TR
説明: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ HEXFET®
fet234タイプ 2 P-Channel (Dual)
包装 Tape & Reel (TR)
fet特徴 Logic Level Gate
部地位 Obsolete
-マックス 960mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
サプライヤー装置パッケージ 6-TSOP
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 9.6nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 16V
現在25%で安全連続(id) @°c 2.9A

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