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IRF5852TR
| メーカー: | Infineon Technologies |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| データシート: | IRF5852TR |
| 説明: | MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| シリーズ | HEXFET® |
| fet234タイプ | 2 N-Channel (Dual) |
| 包装 | Tape & Reel (TR) |
| fet特徴 | Logic Level Gate |
| 部地位 | Obsolete |
| -マックス | 960mW |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA |
| 作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rdsデータ(Max) @ Vgs | 90mOhm @ 2.7A, 4.5V |
| サプライヤー装置パッケージ | 6-TSOP |
| ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 20V |
| 入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 15V |
| 現在25%で安全連続(id) @°c | 2.7A |
