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IRF630NL
| メーカー: | Infineon Technologies |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| データシート: | IRF630NL |
| 説明: | MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262 |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| シリーズ | HEXFET® |
| fet234タイプ | N-Channel |
| 包装 | Tube |
| vgs max | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| fet特徴 | - |
| 部地位 | Obsolete |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| 作動温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rdsデータ(Max) @ Vgs | 300mOhm @ 5.4A, 10V |
| 電力放蕩(マックス) | 82W (Tc) |
| サプライヤー装置パッケージ | TO-262 |
| ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 200V |
| 入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 575pF @ 25V |
| 現在25%で安全連続(id) @°c | 9.3A (Tc) |
| 駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 10V |
