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IRF6609

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IRF6609
説明: MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ HEXFET®
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 DirectFET™ Isometric MT
Vgs(th) (Max) @ Id 2.45V @ 250µA
作動温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 2mOhm @ 31A, 10V
電力放蕩(マックス) 1.8W (Ta), 89W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ DIRECTFET™ MT
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 69nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 6290pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c 31A (Ta), 150A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

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