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IRF6662TRPBF

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	IRF6662TRPBF
説明:	MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	HEXFET®
fet234タイプ	N-Channel
包装	Cut Tape (CT)
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	DirectFET™ Isometric MZ
Vgs(th) (Max) @ Id	4.9V @ 100µA
作動温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	22mOhm @ 8.2A, 10V
電力放蕩(マックス)	2.8W (Ta), 89W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	DIRECTFET™ MZ
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	1360pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	8.3A (Ta), 47A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V