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IRF6711STRPBF

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IRF6711STRPBF
説明: MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ HEXFET®
fet234タイプ N-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 DirectFET™ Isometric SQ
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
作動温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 3.8mOhm @ 19A, 10V
電力放蕩(マックス) 2.2W (Ta), 42W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ DIRECTFET™ SQ
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 25V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1810pF @ 13V
現在25%で安全連続(id) @°c 19A (Ta), 84A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

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