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IRF6729MTR1PBF
| メーカー: | Infineon Technologies |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| データシート: | IRF6729MTR1PBF |
| 説明: | MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| シリーズ | HEXFET® |
| fet234タイプ | N-Channel |
| 包装 | Digi-Reel® |
| vgs max | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| fet特徴 | - |
| 部地位 | Obsolete |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | DirectFET™ Isometric MX |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 150µA |
| 作動温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rdsデータ(Max) @ Vgs | 1.8mOhm @ 31A, 10V |
| 電力放蕩(マックス) | 2.8W (Ta), 104W (Tc) |
| サプライヤー装置パッケージ | DIRECTFET™ MX |
| ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 4.5V |
| ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 30V |
| 入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 6030pF @ 15V |
| 現在25%で安全連続(id) @°c | 31A (Ta), 190A (Tc) |
| 駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 4.5V, 10V |
