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IRF6798MTRPBF

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IRF6798MTRPBF
説明: MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET-MX
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ HEXFET®
fet234タイプ N-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 Schottky Diode (Body)
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 DirectFET™ Isometric MX
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 150µA
作動温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 1.3mOhm @ 37A, 10V
電力放蕩(マックス) 2.8W (Ta), 78W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ DIRECTFET™ MX
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 25V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 6560pF @ 13V
現在25%で安全連続(id) @°c 37A (Ta), 197A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

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