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IRF7101PBF

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: IRF7101PBF
説明: MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ HEXFET®
fet234タイプ 2 N-Channel (Dual)
包装 Tube
fet特徴 Logic Level Gate
部地位 Discontinued at Digi-Key
-マックス 2W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ベース部材番号 IRF7101PBF
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 100mOhm @ 1.8A, 10V
サプライヤー装置パッケージ 8-SO
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 320pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c 3.5A

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