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IRF7233PBF

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IRF7233PBF
説明: MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ HEXFET®
fet234タイプ P-Channel
包装 Tube
vgs max ±12V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 600mV @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 20mOhm @ 9.5A, 4.5V
電力放蕩(マックス) 2.5W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ 8-SO
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 74nC @ 5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 12V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 6000pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c 9.5A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 2.5V, 4.5V

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