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IRF7351PBF

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: IRF7351PBF
説明: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ HEXFET®
fet234タイプ 2 N-Channel (Dual)
包装 Tube
fet特徴 Logic Level Gate
部地位 Discontinued at Digi-Key
-マックス 2W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ベース部材番号 IRF7351PBF
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 50µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 17.8mOhm @ 8A, 10V
サプライヤー装置パッケージ 8-SO
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 60V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1330pF @ 30V
現在25%で安全連続(id) @°c 8A

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