IRF7521D1
メーカー: | Infineon Technologies |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
データシート: | IRF7521D1 |
説明: | MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO-8 |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | Infineon Technologies |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
シリーズ | FETKY™ |
fet234タイプ | N-Channel |
包装 | Tube |
vgs max | ±12V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
fet特徴 | Schottky Diode (Isolated) |
部地位 | Obsolete |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 135mOhm @ 1.7A, 4.5V |
電力放蕩(マックス) | 1.3W (Ta) |
サプライヤー装置パッケージ | Micro8™ |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 4.5V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 20V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 260pF @ 15V |
現在25%で安全連続(id) @°c | 2.4A (Ta) |
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 2.7V, 4.5V |