IRF7663TR
メーカー: | Infineon Technologies |
---|---|
対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
データシート: | IRF7663TR |
説明: | MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8 |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
シリーズ | HEXFET® |
fet234タイプ | P-Channel |
包装 | Digi-Reel® |
vgs max | ±12V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
fet特徴 | - |
部地位 | Obsolete |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 20mOhm @ 7A, 4.5V |
電力放蕩(マックス) | 1.8W (Ta) |
サプライヤー装置パッケージ | Micro8™ |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 5V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 20V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 2520pF @ 10V |
現在25%で安全連続(id) @°c | 8.2A (Ta) |
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 2.5V, 4.5V |