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IRF8513PBF

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: IRF8513PBF
説明: MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ -
fet234タイプ 2 N-Channel (Dual)
包装 Tube
fet特徴 Logic Level Gate
部地位 Obsolete
-マックス 1.5W, 2.4W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ベース部材番号 IRF8513PBF
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 15.5mOhm @ 8A, 10V
サプライヤー装置パッケージ 8-SO
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 8.6nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 766pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c 8A, 11A

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