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IRF8707GTRPBF

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	IRF8707GTRPBF
説明:	MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	HEXFET®
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Discontinued at Digi-Key
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	11.9mOhm @ 11A, 10V
電力放蕩(マックス)	2.5W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ	8-SO
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	9.3nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	760pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c	11A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	4.5V, 10V