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IRF9Z34NLPBF

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	IRF9Z34NLPBF
説明:	MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	HEXFET®
fet234タイプ	P-Channel
包装	Tube
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Obsolete
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	100mOhm @ 10A, 10V
電力放蕩(マックス)	3.8W (Ta), 68W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	TO-262
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	35nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	55V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	620pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	19A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V