画像は参考までに、仕様書を参照してください

IRFB3206PBF

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IRFB3206PBF
説明: MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ HEXFET®
fet234タイプ N-Channel
包装 Tube
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 150µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 3mOhm @ 75A, 10V
電力放蕩(マックス) 300W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ TO-220AB
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 60V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 6540pF @ 50V
現在25%で安全連続(id) @°c 120A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

在庫が 4537 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.03 $1.99 $1.95
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

HUF75645S3ST
ON Semiconductor
$0
STU7NM60N
STMicroelectronics
$2.01
FDB2532
ON Semiconductor
$0
FDP80N06
ON Semiconductor
$2
FDPF33N25T
ON Semiconductor
$2