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IRFH5010TR2PBF

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IRFH5010TR2PBF
説明: MOSFET N-CH 100V 13A 5X6 PQFN
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ HEXFET®
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 150µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 9mOhm @ 50A, 10V
電力放蕩(マックス) 3.6W (Ta), 250W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ 8-PQFN (5x6)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 98nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 4340pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 13A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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