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IRFH5010TR2PBF

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	IRFH5010TR2PBF
説明:	MOSFET N-CH 100V 13A 5X6 PQFN
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	HEXFET®
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Obsolete
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 150µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	9mOhm @ 50A, 10V
電力放蕩(マックス)	3.6W (Ta), 250W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	8-PQFN (5x6)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	98nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	4340pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	13A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V