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IRFH5025TRPBF

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IRFH5025TRPBF
説明: MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN56
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ HEXFET®
fet234タイプ N-Channel
包装 Cut Tape (CT)
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 150µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 100mOhm @ 5.7A, 10V
電力放蕩(マックス) 3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ 8-PQFN (5x6)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 250V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 2150pF @ 50V
現在25%で安全連続(id) @°c 3.8A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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