IRFH5220TRPBF
メーカー: | Infineon Technologies |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
データシート: | IRFH5220TRPBF |
説明: | MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | Infineon Technologies |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
シリーズ | HEXFET® |
fet234タイプ | N-Channel |
包装 | Tape & Reel (TR) |
vgs max | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
fet特徴 | - |
部地位 | Obsolete |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | 8-VQFN Exposed Pad |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 99.9mOhm @ 5.8A, 10V |
電力放蕩(マックス) | 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) |
サプライヤー装置パッケージ | PQFN (5x6) |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 200V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 1380pF @ 50V |
現在25%で安全連続(id) @°c | 3.8A (Ta), 20A (Tc) |
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 10V |
在庫が 67 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最小: 1