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IRFH5303TRPBF

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IRFH5303TRPBF
説明: MOSFET N-CH 30V 82A 8-PQFN
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ HEXFET®
fet234タイプ N-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 50µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 4.2mOhm @ 49A, 10V
電力放蕩(マックス) 3.6W (Ta), 46W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ 8-PQFN (5x6)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 2190pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c 23A (Ta), 82A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

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