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IRFH7185TRPBF

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IRFH7185TRPBF
説明: MOSFET N CH 100V 19A 8QFN
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ FASTIRFET™, HEXFET®
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-PowerTDFN
ベース部材番号 IRFH7185
Vgs(th) (Max) @ Id 3.6V @ 150µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 5.2mOhm @ 50A, 10V
電力放蕩(マックス) 3.6W (Ta), 160W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ 8-PQFN (5x6)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 54nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 2320pF @ 50V
現在25%で安全連続(id) @°c 19A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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