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IRFH7911TRPBF

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	IRFH7911TRPBF
説明:	MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	HEXFET®
fet234タイプ	2 N-Channel (Dual)
包装	Tape & Reel (TR)
fet特徴	Logic Level Gate
部地位	Not For New Designs
-マックス	2.4W, 3.4W
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	18-PowerVQFN
ベース部材番号	IRFH7911PBF
Vgs(th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	8.6mOhm @ 12A, 10V
サプライヤー装置パッケージ	PQFN (5x6)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	1060pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c	13A, 28A