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IRFH7932TR2PBF

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IRFH7932TR2PBF
説明: MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ HEXFET®
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 100µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 3.3mOhm @ 25A, 10V
電力放蕩(マックス) 3.4W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ PQFN (5x6) Single Die
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 51nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 4270pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c 24A (Ta), 104A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

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