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IRFH8316TRPBF

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IRFH8316TRPBF
説明: MOSFET N-CH 30V 27A PQFN5X6
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ HEXFET®
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Discontinued at Digi-Key
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 50µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 2.95mOhm @ 20A, 10V
電力放蕩(マックス) 3.6W (Ta), 59W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ 8-PQFN (5x6)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 59nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 3610pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c 27A (Ta), 50A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

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