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IRFHM792TR2PBF

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: IRFHM792TR2PBF
説明: MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ HEXFET®
fet234タイプ 2 N-Channel (Dual)
包装 Cut Tape (CT)
fet特徴 Standard
部地位 Obsolete
-マックス 2.3W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-PowerVDFN
ベース部材番号 IRFHM792PBF
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 10µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 195mOhm @ 2.9A, 10V
サプライヤー装置パッケージ 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 6.3nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 251pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 2.3A

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